onsemi MMBT5089LT1G
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2
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
Max Collector Current
50 mA
50 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
400
400
Power Dissipation
-
225 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MMBT5089LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
ON SEMI MMBT5089LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.05 A, 30 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); MMBT5089LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 25 V; 50 mA
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25V 300mW 400@100uA,5V 50mA NPN SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Transistor NPN 25V 50mA Low Noise SOT23
onsemi NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current50 mA, maximum collector-emission voltage30 V
TRANSISTOR, NPN, 25V, 50MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 50mA; DC Current Gain hFE: 400hFE; Tra
Bjt, Npn, 25V, sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:25V; Continuous Collector Current:50Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:50Mhzrohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT5089LT1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4.5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min400
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current50 mA
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade