onsemi KST10MTF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.BC848B-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiKSC2715YMTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 2mA 12V 50mA 150mW 400MHz
Descrições
Descrições de onsemi KST10MTF fornecidas pelos seus distribuidores.
KST10 Series NPN 350 mW 25 V 650 MHz Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23-3
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
500mV@ 4mA,0.4mA NPN 350mW 3V 100nA 30V 25V SOT-23-3 2.92mm*1.3mm*930¦Ìm
Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANS, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: 650MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: -; DC Current Gain hFE: 60hFE; RF Tr
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating4 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency650 MHz
Gain Bandwidth Product650 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Number of Elements1
Output Power350 mW
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency650 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height960 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade