onsemi MBT3904DW1T1G
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
150 mW
150 mW
150 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi MBT3904DW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); MBT3904DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 40 V; 200 mA
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, GENERAL PURPOSE, VCEO 40VDC, IC 200MA, PD 150W, SOT-363
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW
General Purpose Transistors Dual NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=150mW SOT363
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, DUAL 40V, SOT363, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max NPN:40V; Collector Emitter Voltage Max PNP:-; Continuous Collector Current NPN:200mA; Power Dissipation NPN:150mW RoHS Compliant: Yes
The MBT3904DW1T1 MBT3904DW2T1 and MBT3906DW1T1 devices are spin-offs of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded devices. They are designed for general purpose amplifier applications and are housed in the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package these devices are ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Dual / Continuous Collector Current (Ic) mA = 200 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 40 / DC Current Gain (hFE) = 30 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 60 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 150 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 300 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 950 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
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1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
TypeGeneral Purpose
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height990.6 µm
Length2.1844 mm
Width1.3462 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade