onsemi MBT2222ADW1T1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
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Bipolar Transistors (BJT); MBT3904DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 40 V; 200 mA
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ON SEMI MBT3904DW1T3G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.2 A, 40 V, 6-PIN SOT-363
onsemiMBT3904DW1T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MBT2222ADW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW
ON SEMI MBT2222ADW1T1G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 40 V, 6-PIN SOT-363
General Purpose Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
40V 150mW 600mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MBT Series 40 V 600 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-363
600 mA 40 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Transistor, Npn, 40V, 0.6A, Sot-363-6; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:40V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current Npn:600Ma; Continuous Collector Current Pnp:-; No. Of Pins:6Pinsrohs Compliant: Yes |Onsemi MBT2222ADW1T1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -24.33%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min75
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade