onsemi MUN5211DW1T1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | MUN5211DW1T1G | 117.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MUN5211DW1T1G | 783 | 50K | 3d | ||||||||
| Newark | MUN5211DW1T1G | 7.140 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MUN5211DW1T1G | 15.094 | 358 | |||||||||
| Arrow Electronics | MUN5211DW1T1G | 52.095 | 1 |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-11-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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ON SEMI MUN5330DW1T1G DUAL NPN+PNP BIPOLAR TRANSISTOR,0.1 A,50V,6-PIN SOT-363
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Descrições
Descrições de onsemi MUN5211DW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Bipolar Transistors (BJT); MUN5211DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 50 V; 100 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
MUN5211DW1T1G NPN DIGI TRANSISTOR, 100MA 50 V 10 KOHM, RATIO OF 1, 6-PIN SC-88
MUN5211DW1 Series 2 V 100 mA SMT NPN-Pre-Biased Digital Transistor - SOT-363
35@5mA,10V 2 NPN - Pre-Biased 187mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 Digital Transistors ROHS
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SOT-363, FULL REEL; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; MSL:-
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5211DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade