onsemi FQPF9N25C
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112,289
70,935
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Authorized Distributors
2
3
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
250 V
250 V
Continuous Drain Current (ID)
8.8 A
8.8 A
8.8 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
430 mΩ
430 mΩ
430 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
30 V
Power Dissipation
38 W
38 W
38 W
Input Capacitance
710 pF
710 pF
710 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQPF9N25C fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 250 V, 8.8 A, 430 mΩ, TO-220F
N-Channel 250 V 0.43 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220F
Trans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
250V 8.8A 430m´Î@10V4.4A 38W 4V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 250V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.8 A
Current Rating8.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance710 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max430 mΩ
Resistance430 MΩ
Rise Time85 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height9.19 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade