onsemi FQPF630
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQPF630 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 200 V 400 mO 25 nC Flange Mount QFET Mosfet - TO-220F
Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-Channel QFET® MOSFET 200V, 6.3A, 400mΩ
Transistor, mosfet, n-Channel,200V V(Br)Dss,6.3A I(D),to-220Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF630
200 V, QFET N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts..
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.3 A
Current Rating6.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max400 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height9.19 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade