onsemi FQPF10N20C
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-04-03
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descrições
Descrições de onsemi FQPF10N20C fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 9.5 A, 360 mΩ, TO-220F
Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 38 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-220F
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 200V, 9.5A, TO-220F-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9.5A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.29o; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.96%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.5 A
Current Rating9.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation38 W
Rds On Max360 mΩ
Rise Time92 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade