onsemi FDS6986AS
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Stock
1,090,930
658,282
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Continuous Drain Current (ID)
6.5 A
6.5 A
Threshold Voltage
1.7 V
-
Rds On Max
29 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
900 mW
2 W
Input Capacitance
720 pF
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-29
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 hours ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 hours ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDS6986AS fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 7.9A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:7.9A; Source Voltage Vds:30V; On
MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8; Transistor Type:PowerTrench; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:6.5A; Resistance, Rds On:29mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.9V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:6.5A; Current, Id Cont N Channel 3:7.9A; Current, Idm Pulse N Channel 2:20A; Current, Idm Pulse N Channel 3:30A; No. of Pins:8; Power Dissipation:2W; Resistance, Rds on N Channel 1:0.020ohm; Resistance, Rds on N Channel 2:0.029ohm; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V
The FDS6986AS is designed to replace two single SO-8 MOSFETs and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies that provide various peripheral voltages for notebook computers and other battery powered electronic devices. FDS6986AS contains two unique 30V, N-channel, logic level, PowerTrenchMOSFETs designed to maximize power conversion efficiency.The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the lowside switch (Q2) is optimized to reduce conductionlosses. Q2 also includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Current Rating7.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance720 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation900 mW
Rds On Max29 mΩ
Resistance29 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width3.99 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade