onsemi FDS6982AS
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-01-11
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-03-31
LTD Date2023-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Descrições
Descrições de onsemi FDS6982AS fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V
Dual N-Channel 30 V 28/13.5 mOhm Surface Mount Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8
MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id N Channel 2:6.3A; Cont Current Id N Channel 3:8.6A; Current Id Max:8.6A; No. of Transistors:1; On State Resistance Channel 1:13.5mohm; On State Resistance N Channel 2:28mohm; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm N Channel 2:20A; Pulse Current Idm N Channel 3:30A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The FDS6982AS is designed to replace two single SO-8 MOSFETs and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies that provide various peripheral voltages for notebook computers and other battery powered electronic devices. FDS6982AS contains two unique 30V, N-channel, logic level, PowerTrench® MOSFETs designed to maximize power conversion efficiency. The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the low-side switch (Q2) is optimized to reduce conduction losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Current Rating8.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance610 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.4 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max28 mΩ
Recovery Time19 ns
Resistance28 MΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width3.99 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade