onsemi FCPF380N60E

Name: onsemi FCPF380N60E
Brand: onsemi
SKU: FCPF380N60E

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F

$ 1.363

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Master Electronics		FCPF380N60E	508	40				2,720	1,300	1,300
Onlinecomponents.com		FCPF380N60E	508	40	Bulk			2,720	1,300	1,300
Rochester Electronics	2	FCPF380N60E	2.610					1,320	1,180	1,110	21h
DigiKey		FCPF380N60E-ND	1.789	1	Tube	3,900	2,555	1,793	1,363	1,307

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Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-02-22

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Descrições

Descrições de onsemi FCPF380N60E fornecidas pelos seus distribuidores.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, TO-220F

onsemi

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element14 APAC

SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Fairchild Semiconductor

Imagens

TME

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Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Weight2.27 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)10.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time10 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.77 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation31 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation106 W

Rds On Max380 mΩ

Rise Time9 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time64 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Dimensions

Height9.19 mm

Length10.36 mm

Width4.9 mm

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onsemi

Fairchild Semiconductor

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement3 páginas12 anos atrás

Materials Sheet3 páginas12 anos atrás

Reach Statement3 páginas11 anos atrás

Materials Sheet3 páginas11 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas13 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A