onsemi BC847CWT3G
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6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-323
SOT-323
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
420
420
420
Power Dissipation
150 mW
200 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiBC847BWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiBC847AWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsPDTC144WE,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Descrições
Descrições de onsemi BC847CWT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
600mV@ 5mA,100mA NPN 200mW 6V 15nA 50V 45V 100mA SOT-323 SMD mount 2.1mm*1.24mm*850μm
Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
45V 200mW 100mA 520@2mA5V 100MHz 600mV@100mA5mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SC-70 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min420
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade