onsemi BC847BWT1G
$ 0.032
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Distribuidor
SKU
Mín.
Embalagem
Preço em massa
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +50.29%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de onsemi BC847BWT1G direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 0.032
$ 0.028
$ 0.028
Stock
15,786,540
16,699,437
16,699,437
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-323
SOT-323
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
150 mW
200 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiBC847CWT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 420 @ 2mA 5V 15nA ICBO 150mW 100MHz
onsemiBC847AWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiBC847CWT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsBC847AT,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110
NXP SemiconductorsPDTC144WE,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Descrições
Descrições de onsemi BC847BWT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ON SEMI BC847BWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 3-PIN SC-70
45V 150mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT-323(SC-70) Bipolar Transistors - BJT ROHS
BC Series 65 V 100 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-323
NPN Transistor 600mV@5mA 100mA 200mW 6V 15nA 50V 45V 100mA SC-70/SOT-323 SMD 2.1mm × 1.24mm × 900μm
NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, RF BIPOLAR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 290hFE; RF Transistor C
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +50.29%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade