onsemi BC847AWT1G
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6
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Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-323
SOT-323
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
110
110
110
Power Dissipation
150 mW
200 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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NXP SemiconductorsPDTC144WE,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Descrições
Descrições de onsemi BC847AWT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ON SEMI BC847AWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 3-PIN SC-70
BC Series NPN 200 mW 45 V 100 mA SMT General Purpose Transistor - SOT-323
NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 45V, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110hFE
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade