Infineon IRL1004PBF
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Through Hole
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Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
130 A
130 A
Threshold Voltage
1 V
1 V
Rds On Max
6.5 mΩ
6.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
200 W
200 W
Input Capacitance
5.33 nF
5.33 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-09-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-02-11
LTD Date2009-08-11
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Descrições
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 0.0065Ohm;ID 130A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-16
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Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 130 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 6.5 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 14 / Rise Time ns = 210 / Turn-OFF Delay Time ns = 25 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 200
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)130 A
Current Rating130 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Dual Supply Voltage40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance5.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max6.5 mΩ
Resistance6.5 mΩ
Rise Time210 ns
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.6426 mm
Width4.82 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade