onsemi FDP8874
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Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-06-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDP8874 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 114A, 5.3mΩ
30V 16A 110W 5.3m´Î@10V40A 2.5V@250Ã×A N Channel TO-220AB MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
30V,114A,5.3 OHM,N-CH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
30 V, 114 A, 5.3 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 30V, 114A, TO-220AB;
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFETs 30V,114A,5.3 OHM N-CH
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating121 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.13 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max5.3 mΩ
Rise Time128 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade