onsemi FDP8896
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Stock
85,119
177,304
177,304
Authorized Distributors
5
2
2
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220AB
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
-
Continuous Drain Current (ID)
80 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
5.9 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
12 V
12 V
Power Dissipation
80 W
83 W
83 W
Input Capacitance
2.525 nF
-
-
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2024-01-03
LTD Date2024-07-03
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi FDP8896 fornecidas pelos seus distribuidores.
RAIL/30V,92A,5.9m ohm ,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 92A, 5.9mΩ
30 V, 92 A, 5.9 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current60 A
Current Rating92 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.525 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max5.9 mΩ
Resistance5.9 MΩ
Rise Time103 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage30 V
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade