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Infineon IPB65R110CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
$ 3.06
Obsolete
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Distribuidor
SKU
Mín.
Embalagem
Preço em massa
Rochester Electronics
IPB65R110CFDATMA1
578.730
USD
3,420
3,060
2,880
3h
Microchip USA
IPB65R110CFDATMA1
283
300
USD
5,264
5,264
21h
Component Stockers USA
IPB65R110CFDATMA1
10.347
USD
2,640
2,590
2,510
2,430
2,430
>1wk
UnikeyIC
IPB65R110CFDATMA1
550.777
92
Tape & Reel
USD
3,488
3,366
3,197
2d
Worldway Electronics
IPB65R110CFDATMA1
5.927
7
Tape & Reel
USD
1,984
1,946
1,871
1,834
2h

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IHS

Datasheet20 páginas15 anos atrás

TME

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Peças alternativas

Esta peça
Peças alternativas
InfineonIPB65R110CFDATMA1
InfineonIPB65R110CFDAATMA1
Price @ 1000
$ 3.06
$ 3.077
Stock
2,309,591
652,692
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vds)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
-
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
277.8 W
Input Capacitance
-
3.24 nF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29

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Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IPB65R110CFDATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Eurochip Technologies LTD
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
277.8W(Tc) 20V 4.5V@1.3mA 118nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 110mΩ@ 12.7A,10V 31.2A 3.24nF@100V TO-263 SMD mount 10mm*9.25mm*4.4mm
UnikeyIC
MOSFET, N CH, 700V, 31.2A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.099ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Imagens

Farnell
TME
Farnell
Future Electronics
UTSource
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IPB65R110CFDATMA1.
  • SP000896400