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Infineon IPB65R110CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 3.028
Production
Ficha de dados
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Preço e estoque

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Distribuidor
SKU
Mín.
Embalagem
Preço em massa
Newark
2
IPB65R110CFDAATMA1
2.207
1
Cut Tape
USD
7,140
7,140
3,490
2,980
2,860
Arrow Electronics
IPB65R110CFDAATMA1
959
1
USD
6,162
6,162
6,162
6,162
6,162
DigiKey
3
IPB65R110CFDAATMA1CT-ND
1.682
1
Cut Tape
USD
7,140
4,805
3,486
3,295
3,295
Avnet
IPB65R110CFDAATMA1
0
1K
USD
3,077
2,761
6h
Future Electronics
2
IPB65R110CFDAATMA1
0
1K
Tape & Reel
USD
3,120
3,080

Fichas técnicas e documentos

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element14 APAC

Datasheet16 páginas14 anos atrás

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Peças alternativas

Esta peça
Peças alternativas
InfineonIPB65R110CFDAATMA1
InfineonIPB65R110CFDATMA1
Price @ 1000
$ 3.028
$ 3.06
Stock
648,626
2,333,694
Authorized Distributors
5
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
110 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
-
Input Capacitance
3.24 nF
-

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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VishaySIHB22N65E-GE3
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IPB65R110CFDAATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
N-Channel 650 V 31.2 A 277.8 W 110 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO-263-3
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
277.8W 20V 4.5V 118nC@ 10V 1individualNChannel 650V 110mΩ@ 10V 31.2A 3.24nF@ 100V TO-263 SMD mount，glue mount 10mm*9.25mm*4.4mm
UnikeyIC
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
Infineon
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 650V, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.099ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Farnell

Imagens

TME
RS
Newark
Farnell

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IPB65R110CFDA
  • SP000896402