Infineon AUIRF2805S
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Obsolete
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRF2805STRL | 24.000 | 1d | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRF2805S | 0 | 3K | Bulk | 17h | |||||||
| Avnet | AUIRF2805S | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Farnell | AUIRF2805S | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | AUIRF2805STRL | 303 | 600 | Bulk | 18h |
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156,776
Authorized Distributors
4
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
4.7 mΩ
4.7 mΩ
4.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
200 W
200 W
200 W
Input Capacitance
5.11 nF
5.11 nF
5.11 nF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
Descrições
Descrições de Infineon AUIRF2805S fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
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Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance4.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.11 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
Package Quantity800
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation200 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade