Vishay SQM110N05-06L_GE3
$ 1.407
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SQM110N05-06L_GE3CT-ND | 773 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SQM110N05-06L_GE3 | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SQM110N05-06L_GE3 | 0 | 800 | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | SQM110N05-06L_GE3 | 0 | 800 | |||||||||
| Mouser | 781-SQM110N0506L_GE3 | 3.111 | 1 | Tape & Reel |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.58%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SQM110N05-06L_GE3.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Vishay SQM110N05-06L_GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3
157W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 110nC@ 10 V 1N 55V 6m¦¸@ 30A,10V 110A 4.44nF@25V D2PAK,TO-263 4.83mm
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263
N-CHANNEL 55-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.58%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.44 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation157 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation157 W
Rds On Max6 mΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.41 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SQM110N05-06L_GE3.
Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade