STMicroelectronics STB200NF04T4
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-09
LTD Date2019-02-09
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB100NF04T4
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIRF1404ZSTRLPBF
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1404ZSPBF
STMicroelectronicsSTB85NF3LLT4
N-Channel 30V - 0.006Ohm - 85A - D2PAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STB200NF04T4 fornecidas pelos seus distribuidores.
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
N-Channel 40 V 3.7 mOhm Surface Mount STripFET II Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation310 W
Rds On Max3.7 mΩ
Resistance3.7 MΩ
Rise Time320 ns
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant