Vishay SI7850DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7850DP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI7850DP-T1-GE3

Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8

$ 1.025

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	SI7850DP-T1-GE3	3,000	3K							4d
Newark	3	SI7850DP-T1-GE3	10	1	Cut Tape	0.238	0.238	0.238	0.238	0.238
Verical		SI7850DP-T1-GE3	2,875	31				1.526	1.134	1.050
DigiKey	2	SI7850DP-T1-GE3CT-ND	185	1	Cut Tape	3.010	1.944	1.338	1.025	0.838
TME	2	SI7850DP-T1-GE3	2,875	1		3.123*	2.194*	1.428*	1.068*	0.929*	2d

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 페이지6년 전

Newark

Upverter

element14 APAC

Future Electronics

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VishaySI7850DP-T1-GE3

VishaySI7850DP-T1-E3

Price @ 1000

$ 1.025

$ 1.042

Stock

556,199

423,058

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

6.2 A

Threshold Voltage

3 V

Rds On Max

22 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

1.8 W

Input Capacitance

공급망

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI7850DP-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8

Future Electronics

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 / Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Win Source

MOSFET, N-CH, 60V, 6.2A, POWERPAK SO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.2A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 1.8W; Transistor Case Style: PowerPAK SO; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)

Farnell