Vishay SI7850DP-T1-E3

Name: Vishay SI7850DP-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: SI7850DP-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)

$ 1.042

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SI7850DP-T1-E3	5,015	1	Cut Tape	2.820	2.820	1.300	1.180	1.180
CoreStaff		ST63699876	2,884	1		1.710	1.671	1.110	1.054	1.054	2h
DigiKey	3	SI7850DP-T1-E3CT-ND	4,115	1	Cut Tape	3.010	1.944	1.338	1.025	1.025
TTI		SI7850DP-T1-E3	0	3K	Tape & Reel					0.546	11h
TTI Europe		SI7850DP-T1-E3	3,000	3K	Tape & Reel					0.551*	12h

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 페이지6년 전

Newark

Farnell

Future Electronics

iiiC

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VishaySI7850DP-T1-E3

VishaySI7850DP-T1-GE3

Price @ 1000

$ 1.042

$ 1.025

Stock

423,421

552,471

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

6.2 A

Threshold Voltage

3 V

Rds On Max

22 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

1.8 W

Input Capacitance

공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-08-11

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI7850DP-T1-E3에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)

Component Sense

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Avnet

MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.018OHM, ID 6.2A, POWERPAK SO-8,PD 1.8W,-55C

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.8W; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.3A; Package / Case:SOIC PowerPAK; Power Dissipation Pd:1.8W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

MOSFET, N SO-8 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:6.2A; Resistance, Rds On:0.031ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC PowerPAK; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:40A; External Depth:5.26mm; External Length / Height:1.2mm; N-channel Gate Charge:27nC; No. of Pins:8; Power Dissipation:1.8W; Power, Pd:1.8W; Power, Ptot:1.8W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.022ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.3°C/W; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs Max:20V; Voltage, Vgs th Min:1V; Width, External:6.2mm; Width, Tape:12mm

Farnell