Vishay SI4056DY-T1-GE3

Name: Vishay SI4056DY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI4056DY-T1-GE3

MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Dra

$ 0.472

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	SI4056DY-T1-GE3	2,500	2500						0.279	1d
Newark	2	SI4056DY-T1-GE3	1,180	1	Cut Tape	1.440	0.968	0.692	0.573	0.573
Future Electronics		SI4056DY-T1-GE3	2,500	2500	Tape & Reel					0.500
CoreStaff		ST63699861	2,500	1		0.761	0.761	0.528	0.472	0.467	17h
DigiKey	2	SI4056DY-T1-GE3CT-ND	576	1	Cut Tape	1.390	0.871	0.575	0.407	0.407

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Newark

Datasheet9 페이지9년 전

Datasheet10 페이지13년 전

Datasheet10 페이지10년 전

element14 APAC

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

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소스	이캐드	엠캐드	파일
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EE Concierge	심벌풋프린트

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-07-08

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI4056DY-T1-GE3에 대한 설명입니다.

MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra

Newark

SI4056DY-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11.1 A, 100 V, 8-PIN SOIC

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC / Trans MOSFET N-CH 100V 11.1A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 11.1 A, 0.017 ohm, SOIC, Surface Mount

Avnet

Si4056DY Series 100 V 11.1 A 900 pF Surface Mount N-Channel Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

MOSFET N-Channel 100V 7.3A (Ta), 11.1A (Tc) 8-SOIC T/R

ComSIT Distribution GmbH

Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.1A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.7W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited

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