STMicroelectronics STGD5H60DF

Name: STMicroelectronics STGD5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGD5H60DF

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

$ 0.465

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	497-16479-1-ND	222	1	Cut Tape	1.330	0.833	0.549	0.388	0.388
Newark	2	STGD5H60DF	2,491	5	Cut Tape		0.900	0.729	0.729	0.729
TME	2	STGD5H60DF	2,230	1		1.145	0.783	0.542	0.542	0.542	2h
Avnet		STGD5H60DF	0	2500						0.254	15h
Arrow Electronics		STGD5H60DF	0	2500						0.274

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-05-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STGD5H60DF에 대한 설명입니다.

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

STMicroelectronics

Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252

IHS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Discrete IGBTs; STGD5H60DF; STMICROELECTRONICS; 600 V; 10 A; 83 W; 600 V

Maritex

TRANSISTOR, IGBT, 1.5V, 10A, TO-252-3;

Farnell

IGBT Transistors PTD IGBT & IPM

Digi-ic_SMART PIONEER

83W 10A 600V Trench Field Stop TO-252 IGBTs ROHS

Dasenic

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

YIC International

IGBT, SINGLE, 600V, 10A, TO-252; Continuous Collector Current:10A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.5V; Power Dissipation:83W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark