onsemi FQU2N60CTU

Name: onsemi FQU2N60CTU
Brand: onsemi
SKU: FQU2N60CTU

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK

$ 0.427

EOL

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	FQU2N60CTU	307,440	2084							21h
Rochester Electronics	FQU2N60CTU	9					0.514	0.427	0.380	18h
Flip Electronics	FQU2N60CTU	307,440								7d
Farnell	FQU2N60CTU	0	1		1.300*	1.173*	0.914*	0.755*	0.755*	4h
Microchip USA	FQU2N60CTU	372	600	Bulk				2.990	2.990	11h

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-07-27

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi FQU2N60CTU에 대한 설명입니다.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.9A; 4.7ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; THT; IPAK

Maritex

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, IPAK

onsemi

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Verical

600V 1.9A 2.5W 4.7´Î@10V950mA 4V@250Ã×A N Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS

Dasenic

MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

Mouser

Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-Channel 600V 1.9A IPAK

RS APAC

MOSFET, N-CH, 600V, 1.9A, 150DEG C, 44W;

Farnell

2.5W(Ta),44W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 12nC@ 10 V 1N 600V 4.7¦¸@ 950mA,10V 1.9A 235pF@25V TO-251 6.8mm*2.5mm*6.3mm

UnikeyIC

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Vigor Components

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor