Infineon IRLZ34NSTRLPBF

Name: Infineon IRLZ34NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLZ34NSTRLPBF

Power MOSFET, N Channel, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 0.578

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	64AH3720	11,529	1		1.840	1.270	0.887	0.654	0.654	5h
Newark		IRLZ34NSTRLPBF	23,584	1	Cut Tape	1.840	1.270	0.887	0.654	0.594
Future Electronics	2	IRLZ34NSTRLPBF	108,800	800	Tape & Reel				0.550	0.525
Rutronik		TMOSP12700	7,200	800					0.429	0.343	10h
Rochester Electronics		IRLZ34NSTRLPBF	399					0.685	0.569	0.507	2h

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iiiC

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InfineonIRLZ34NSTRLPBF

InfineonIRLZ34NSPBF

Price @ 1000

$ 0.578

$ 1.25

Stock

975,668

80,000

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

30 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

35 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

3.8 W

Input Capacitance

880 pF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1998-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRLZ34NSTRLPBF에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

EBV Elektronik

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 55 V 0.06 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

IRLZ34NSTRLPBF,MOSFET, 55V, 30 A, 35 MOHM, 16.7 NC QG, LOGIC

Jameco

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:30A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Package/Case:D-Pak; Power Dissipation, Pd:68W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 55V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:68W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 100°C:21A; Cont Current Id @ 25°C:30A; Current Id Max:30A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:68W; Power Dissipation Pd:68W; Pulse Current Idm:110A; Rth:2.2; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 30 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 35 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 29 / Rise Time ns = 100 / Turn-OFF Delay Time ns = 21 / Turn-ON Delay Time ns = 8.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 68

Distrelec