Infineon IRLML6401TRPBF

Name: Infineon IRLML6401TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLML6401TRPBF

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

$ 0.141

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRLML6401TRPBF	291,000	3K						0.078	2d
Newark	2	IRLML6401TRPBF	21,368	1	Cut Tape	0.477	0.292	0.225	0.161	0.161
Future Electronics	2	IRLML6401TRPBF	3,093,000	3K	Tape & Reel					0.086
Arrow Electronics	2	IRLML6401TRPBF	204,233	1		0.431	0.254	0.168	0.077	0.077
Rochester Electronics		IRLML6401TRPBF	17,700					0.082	0.068	0.061	6h

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Datasheet10 페이지12년 전

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InfineonIRLML6401TRPBF

InfineonIRLML6401GTRPBF

Price @ 1000

$ 0.141

$ 0.044

Stock

30,264,439

293,399

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

TO-236-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

-12 V

Continuous Drain Current (ID)

4.3 A

Threshold Voltage

-550 mV

Rds On Max

50 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

8 V

Power Dissipation

1.3 W

Input Capacitance

830 pF

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-09-01

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2026-06-30

LTD Date2027-12-31

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRLML6401TRPBF에 대한 설명입니다.

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

Maritex

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 0.05Ohm;ID -4.3A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-8V

RS (Formerly Allied Electronics)

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R / HEXFET Power MOSFET

Win Source

Single P-Channel 12 V 0.05 Ohm 10 nC SMT HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 12V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, MICRO-3

Jak Electronics

Mosfet, P Channel, -12V, -4.3A, Sot-23-3, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:12V; Continuous Drain Current Id:4.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Power Dissipation:1.3W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLML6401TRPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-12V; Current, Id Cont:4.3A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:34A; Power Dissipation:1.3W; Power, Pd:1.3W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.05ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:100°C/W; Voltage, Vds Max:12V; Voltage, Vgs th Min:-0.4V; Width, Tape:8mm

Farnell

MOSFET, P, MICRO3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.3A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-550mV; Power Dissipation Pd:1.3W; Transistor Case Style:µSOIC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-4.3A; Package / Case:Micro3; Power Dissipation Pd:1.3W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-12V; Voltage Vgs Max:-550mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

element14 APAC