Infineon IRG4RC10KDTRPBF

IRG4RC10K Series 600 V 9 A Surface Mount UltraFast Speed IGBT - TO-252AA
$ 0.988
Obsolete
제조업체 페이지데이터시트

가격 및 재고

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRG4RC10KDTRPBF3,561
7h
RS (Formerly Allied Electronics)IRG4RC10KDTRPBF02KBulk
1d
FarnellIRG4RC10KDTRPBF01
6h
Win SourceWS-IRG4RC10KDTRPBF5,33475
8h
Worldway ElectronicsIRG4RC10KDTRPBF17,1717Tape & Reel
1d

데이터시트 및 문서

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IHS

Datasheet12 페이지22년 전

Newark

iiiC

재고 내역

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대체 부품

이 부품
대체 부품
InfineonIRG4RC10KDTRPBF
InfineonIRG4RC10KDPBF
Price @ 1000
$ 0.988
$ 3.09
Stock
61,870
215,224
Authorized Distributors
3
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
9 A
9 A
Power Dissipation
38 W
38 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2.39 V
2.62 V
Reverse Recovery Time
28 ns
28 ns

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31

관련 부품

InfineonIRG4RC10UDTRRP
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
세부 사항
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Infineon IRG4RC10UDPBF IGBT, 8.5 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
세부 사항
InfineonIRG4RC10UTRPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
세부 사항
InfineonIRG4RC10UPBF
600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D-Pak package
세부 사항
STMicroelectronicsSTGD5H60DF
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4RC10KDTRPBF에 대한 설명입니다.

IRG4RC10K Series 600 V 9 A Surface Mount UltraFast Speed IGBT - TO-252AA
Future Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
IHS
IGBT, N-CHANNEL, 600V, 8.5A, D-PAK TO-252AA
RS (Formerly Allied Electronics)
SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG
ODG (Origin Data Global)
IGBT, COPAK, D-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:9A; Voltage, Vce Sat Max:2.39V; Power Dissipation:38W; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:TO-252; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:18A; Power, Pd:38W; Time, Rise:24ns
Farnell

이미지

TME
TME
iiiC
Newark
Rochester Electronics

제조업체 별칭

Infineon에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Infineon는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • IRFIRG4RC10KDTRPBF
  • IRG4RC10KDTRPBF.