Infineon IRFSL3607PBF

Name: Infineon IRFSL3607PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFSL3607PBF

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3

$ 1.94

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFSL3607PBF	0	10	Bulk		2.200	1.940	1.940	1.940	22h
Win Source	WS-IRFSL3607PBF	50	45				1.155	0.939	0.939	9h
Worldway Electronics	IRFSL3607PBF	19,367	7	Tube		2.056	2.018	1.940	1.901	8h
GreenTree Electronics	IRFSL3607PBF	300								>1wk
Aztech	IRFSL3607PBF	8,092			0.460	0.460	0.460	0.460	0.460	1d

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IHS

Datasheet11 페이지14년 전

Datasheet12 페이지14년 전

Datasheet11 페이지16년 전

Newark

Farnell

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-02-14

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFSL3607PBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3

Future Electronics

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

IHS

MOSFET, N, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.00734ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation

element14 APAC

MOSFET, N, TO-262; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:80A; Resistance, Rds On:7.34mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-262; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:310A; Power Dissipation:140W

Farnell