Infineon IRFR3504ZTRPBF

Name: Infineon IRFR3504ZTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3504ZTRPBF

Single N-Channel 40V 9 mOhm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

$ 1.025

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRFR3504ZTRPBF	6,035					0.714	0.593	0.528	17h
DigiKey	2	IRFR3504ZPBFCT-ND	81	1	Cut Tape	2.150	1.369	1.369	1.369	1.369
Newark		IRFR3504ZTRPBF	0	5	Cut Tape		1.450	1.450	1.450	1.450
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFR3504ZTRPBF	0	6K	Bulk					0.920	8h
Farnell	3	IRFR3504ZTRPBF	12,583	5	Cut Tape		1.981*	1.266*	1.100*	1.079*	12h

재고 내역

3개월 추세: -0.06%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRFR3504ZTRPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet12 페이지15년 전

Datasheet12 페이지21년 전

Datasheet11 페이지21년 전

IHS

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-0.06%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRFR3504ZTRPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonIRFR3504ZTRPBF

InfineonAUIRFR3504Z

Price @ 1000

$ 1.025

$ 0.872

Stock

573,012

82,653

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

Continuous Drain Current (ID)

42 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

90 W

Input Capacitance

1.51 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-10-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-12-28

LTD Date2013-06-28

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR3504ZTRPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 40V 9 mOhm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:77A; On Resistance, Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 77 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 38 / Rise Time ns = 74 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 90

Distrelec