Infineon IPD50N04S408ATMA1

Name: Infineon IPD50N04S408ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD50N04S408ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 7.9 mOhm, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	85X6030	572	1		1.260	0.747	0.518	0.403	0.403	1d
Newark		IPD50N04S408ATMA1	572	1	Cut Tape	0.089	0.089	0.089	0.089	0.089
Arrow Electronics		IPD50N04S408ATMA1	9,420	1		0.907	0.907	0.907	0.907	0.907
Rochester Electronics		IPD50N04S408ATMA1	87,830					0.358	0.297	0.265	8h
DigiKey	3	IPD50N04S408ATMA1CT-ND	5,799	1	Cut Tape	1.300	0.817	0.538	0.379	0.379

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공급망

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-04-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPD50N04S408ATMA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 7.9 mOhm, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount

Avnet

40V, N-Ch, 7.9 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, N CH, 40V, 50A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow

Farnell

OPTIMOS-T2 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

ComSIT Distribution GmbH

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications

Infineon