Infineon IRFH7932TRPBF

Name: Infineon IRFH7932TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH7932TRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS

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Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFH7932TRPBF	2,998	1		0.395	0.395	0.395	0.395	0.395
Rochester Electronics		IRFH7932TRPBF	20,084					0.591	0.491	0.438	17h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFH7932TRPBF	0	4K	Bulk					1.558	9h
Farnell	2	IRFH7932TRPBF	2,711	1	Cut Tape	1.871*	1.185*	0.795*	0.542*	0.542*	3h
Mouser		942-IRFH7932TRPBF	4,417	1	Tape & Reel	1.810	1.150	0.766	0.550	0.498

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Future Electronics

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InfineonIRFH7932TRPBF

InfineonIRFH7932TR2PBF

Price @ 1000

$ 0.491

$ 0.53

Stock

1,020,656

20,445

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

24 A

25 A

Threshold Voltage

1.8 V

Rds On Max

3.3 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.4 W

3.1 W

Input Capacitance

4.27 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFH7932TRPBF에 대한 설명입니다.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Future Electronics

Transistor MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin QFN T/R

Avnet Japan

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:24mA; On Resistance, Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

MOSFET, N, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:3.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 2 - 1 year; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:PQFN; Power Dissipation Pd:3.4W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V

element14 APAC