Infineon BSC034N03LSGATMA1

Name: Infineon BSC034N03LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC034N03LSGATMA1

Mosfet Devices; Infineon; BSC034N03LSGATMA1; 30 V; 100 A; 20 V; 57 W

$ 0.363

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		BSC034N03LSGATMA1	2,449					0.437	0.363	0.324	20h
Arrow Electronics		BSC034N03LSGATMA1	5	1		0.323	0.323	0.323	0.323	0.323
Avnet		BSC034N03LSGATMA1	0	5K							22h
Farnell	2	BSC034N03LSGATMA1	0	5K	Cut Tape					0.367*	20h
Mouser		726-BSC034N03LSGATMA	1,657	1	Tape & Reel	1.800	1.110	0.730	0.491	0.371

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Newark

Datasheet10 페이지12년 전

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2009-02-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-09-30

LTD Date2026-03-31

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSC034N03LSGATMA1에 대한 설명입니다.

MOSFET Devices; INFINEON; BSC034N03LSGATMA1; 30 V; 100 A; 20 V; 57 W

Maritex

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance

element14 APAC

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V; Power Dissipation Pd: 57W; Transistor Case Style: PG-TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS 3 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell