Infineon IRF7313PBF

Name: Infineon IRF7313PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7313PBF

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC Tube

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF7313PBF	0	3800	Bulk					0.880	21h
Farnell	IRF7313PBF	0	5			0.806*	0.274*	0.263*	0.261*	7h
Win Source	WS-IRF7313PBF	39,900	110					0.362	0.362	8h
Worldway Electronics	IRF7313PBF	13,802	7	Tube		0.064	0.062	0.059	0.059	7h
ICPartonline	IRF7313PBF	14,240			0.457	0.434	0.411	0.388	0.365	>1wk

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Datasheet8 페이지21년 전

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-02-24

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF7313PBF에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC Tube

Avnet

Dual N-Channel 30 V 0.046 Ohm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET, DUAL, NN, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:6.5A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:30A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:7313; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC