Infineon IRF640NPBF

Name: Infineon IRF640NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF640NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.15 Ohm; Id 18A; TO-220AB; Pd 150W; Vgs +/-20V

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRF640NPBF	45,632	1		1.345	0.661	0.348	0.348	0.348	2d
Newark		IRF640NPBF	11,182	1		1.730	0.879	0.785	0.563	0.515
Future Electronics	2	IRF640NPBF	141,207	40	Tube			0.500	0.475	0.445
Arrow Electronics	2	IRF640NPBF	114,350	1		1.756	0.718	0.711	0.502	0.460
Rutronik		TMOSP11837	550	50				0.357	0.286	0.286	5h

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Datasheet12 페이지15년 전

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Newark

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-10-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-01-09

LTD Date2014-07-09

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF640NPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-220AB;PD 150W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 0.15ohm; 150W; -55+175 deg.C; THT; TO220

Maritex

200 Volt 18 Amp Single N-Channel HEXFET Power MOSFET TO-220 Fast Switching

Jameco

Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NPBF

Burklin Elektronik

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Transistor MOSFET N-Ch. 18A/200V TO220 IRF 640 N PBF

Rapid Electronics

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 150 W

Distrelec

200V 18A 150W 150m¦¸@10V,11A 4V@250¦ÌA N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:18A; On Resistance, Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.15ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:72A; No. of Pins:3; Power Dissipation:150W; Power, Pd:150W; Thermal Resistance, Junction to Case A:1°C/W; Voltage, Vds Max:200V; Voltage, Vgs th Max:4V

Farnell