Infineon IGW30N60TFKSA1

Name: Infineon IGW30N60TFKSA1
Brand: Infineon
SKU: IGW30N60TFKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

$ 1.406

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	IGW30N60TFKSA1	156	1		1.130	1.130	1.130	1.130	1.130
Arrow Electronics	IGW30N60TFKSA1	1,156	1		1.478	1.478	1.478	1.478	1.478
Rochester Electronics	IGW30N60TFKSA1	14					1.340	1.200	1.130	19h
DigiKey	IGW30N60TFKSA1-ND	97	1	Tube	4.190	4.190	2.303	1.580	1.334
Avnet	IGW30N60TFKSA1	0	480					1.335	1.273	21h

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IHS

Datasheet12 페이지10년 전

Upverter

Farnell

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공급망

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-03-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IGW30N60TFKSA1에 대한 설명입니다.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Verical

IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

EBV Elektronik

600 V IGBT in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS

Infineon SCT

IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

ODG (Origin Data Global)

TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

187W 1.5V 600V 45A TO-247 15.9mm*5.03mm*20.9mm

Unikeyic (ICkey)

IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT

Vigor Components

IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3

SHENGYU ELECTRONICS

IGW30N60T Infineon Technologies

YIC International

Hard-switching 600 V, 30 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in TO-247 package for significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept.

Infineon

IGBT,600V,30A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:187W

element14 APAC