Infineon BSC883N03LSGATMA1

Transistor MOSFET N-CH 34V 98A 8-Pin TDSON Tube
$ 0.346
Obsolete
제조업체 페이지데이터시트

가격 및 재고

데이터시트 및 문서

Infineon BSC883N03LSGATMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Upverter

Datasheet10 페이지13년 전

IHS

재고 내역

3개월간의 트렌드:
+0.00%
Powered bySpectra logo

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-10-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31

관련 부품

InfineonBSC034N03LSGATMA1
MOSFET Devices; INFINEON; BSC034N03LSGATMA1; 30 V; 100 A; 20 V; 57 W
세부 사항
InfineonIRFH8318TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
세부 사항
InfineonIRFH7932TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
세부 사항
onsemiNVTFS4C05NWFTAG
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 102A, 3.6mΩ 1500 / Tape & Reel. Pb-Free, Wettable Flanks
세부 사항
onsemiNVMFS5C442NLT1G
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 130A, 2.5mΩ 1500 / Tape & Reel.
세부 사항
onsemiNVMFS4C05NT1G
Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
세부 사항
InfineonIRF8734TRPBF
Single N-Channel 30 V 3.5 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
세부 사항
InfineonIRF8734PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
세부 사항
InfineonIRF8736TRPBF
Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
세부 사항
onsemiFDMS0312S
MOSFET, N CH, 30V, 42A, POWER 56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
세부 사항
onsemiFDMS7670
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 3.8mΩ
세부 사항
onsemiFDMC0310AS
N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30V, 21A, 4.4mΩ
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSC883N03LSGATMA1에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET N-CH 34V 98A 8-Pin TDSON Tube
Avnet Japan
2.5W(Ta),57W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 34V 3.8m¦¸@ 30A,10V 17A,98A 2.8nF@15V TDSON-8-1
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR;
Farnell
Mosfet, N-Ch, 34V, 98A, Pg-Tdson-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:98A; Drain Source Voltage Vds:34V; On Resistance Rds(On):0.0032Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC883N03LSGATMA1
Newark

이미지

Augswan
Future Electronics
Newark
Rochester Electronics

제조업체 별칭

Infineon에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Infineon는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • BSC883N03LS G
  • BSC883N03LSG