Infineon AUIRF7343QTR

Name: Infineon AUIRF7343QTR
Brand: Infineon
SKU: AUIRF7343QTR

Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R

$ 1.072

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		AUIRF7343QTR	18,802	1		0.792	0.792	0.792	0.792	0.792
RS (Formerly Allied Electronics)		AUIRF7343Q	0	125	Bulk				1.351	1.109	21h
Farnell	3	AUIRF7343QTR	12,370	1	Cut Tape	4.184*	2.591*	1.863*	1.176*	1.176*	4h
Verical		AUIRF7343QTR	18,802	2			0.792	0.792	0.792	0.792
Win Source		WS-AUIRF7343QTR	5,200	22				1.824	1.530	1.530	5h

재고 내역

3개월 추세: +33.42%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon AUIRF7343QTR에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

ODG (Origin Data Global)

Datasheet11 페이지10년 전

Farnell

TME

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+33.42%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon AUIRF7343QTR 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트		다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트	3D	다운로드
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonAUIRF7343QTR

InfineonIRF7343TRPBF

Price @ 1000

$ 1.072

$ 0.501

Stock

414,710

3,670,749

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

4.7 A

Threshold Voltage

1 V

Rds On Max

50 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2 W

Input Capacitance

740 pF

공급망

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-12-06

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2014-10-28

LTD Date2015-04-28

설명

유통업체에서 제공한 Infineon AUIRF7343QTR에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R

Verical

TAPE AND REEL / Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package

Newark

N-P Channel 55 V 3.8 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET,NP CH,55V,4.7A,3.4A,SO8; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 4.7A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V;

Farnell

Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Port Injection; Solenoid Injection

Infineon