CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP80NF70 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-11
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
関連部品
Rochester ElectronicsSPP80N06S209
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
InfineonIPP80N06S407AKSA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP141NF55
Transistor MOSFET Negative Channel 55 Volt 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
説明
STMicroelectronics STP80NF70の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 68V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
68V 98A 9.8mΩ@10V,40A 190W 4V@250uA N Channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS
N-channel 68 V, 0.0082 Ohm, 98 A, TO-220 STripFET II Power MOSFET
Ciiva
Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 68V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Power MOSFETs, N-Channel (>40V to 150V)
Power MOSFETs, 68V, 98A, TO-220, Tube
STMicroelectronics SCT
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)98 A
Drain to Source Resistance9.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)68 V
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.55 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage68 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max9.8 mΩ
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time17 ns