価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STP141NF55 | 170,000 | 242 | |||||||||
| Rochester Electronics | STP141NF55 | 345,000 | 13h | |||||||||
| DigiKey | 497-7023-5-ND | 928 | 1 | Tube | ||||||||
| Future Electronics | STP141NF55 | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STP141NF55 | 1,308 | 150 | Tray | 5h |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP141NF55 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
関連部品
InfineonIRFI3205PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.008Ohm;ID 64A;TO-220 Full-Pak;PD 63W;-55de
InfineonIPP80N06S407AKSA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
説明
STMicroelectronics STP141NF55の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Negative Channel 55 Volt 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
N-channel 55 V, 0.0065 Ohm typ. 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 mΩ
Rise Time150 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time30 ns