STMicroelectronics STGWT60H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWT60H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGWT60H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

$ 1.96

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STGWT60H65DFB	415	1		4.910	4.190	2.740	2.260	2.260
Verical		STGWT60H65DFB	360	3			2.009	2.009	2.009	2.009
Arrow Electronics		STGWT60H65DFB	360	1		1.990	1.990	1.990	1.990	1.990
TME	2	STGWT60H65DFB	81	1		4.540	3.570	3.570	3.570	3.570	1d
DigiKey		497-14232-5-ND	94	1	Tube	5.050	5.050	2.815	1.960	1.716

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Future Electronics

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説明

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

STMicroelectronics

375W 80A 650V FS(Field Stop) TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Verical

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L / Low thermal resistance

Win Source

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel

IHS

晶体管, IGBT, 650V, 80A, 175度 C, 375W;

element14 APAC

IGBT, 650V, 80A, 175DEG C, 375W;

Farnell

TO3P IGBT 60A @100C 600V TRENC

Anglia

IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-3P; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:375W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark