STMicroelectronics STGW60H65DFB

Name: STMicroelectronics STGW60H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGW60H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

$ 2.119

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STGW60H65DFB	629	1		4.770	4.770	4.770	4.770	4.770
Arrow Electronics	2	STGW60H65DFB	210	1		2.609	2.609	2.087	2.065	2.065
Verical	3	STGW60H65DFB	9	3			1.839	1.839	1.839	1.839
Future Electronics	2	STGW60H65DFB	1,200	30	Tube			2.090	2.030	1.970
TME	2	STGW60H65DFB	226	1		5.708*	3.813*	3.343*	3.343*	3.343*	16h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -88.12%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

STMicroelectronics STGW60H65DFBのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet19ページ13年前

Datasheet21ページ6年前

Future Electronics

在庫履歴

3か月間の傾向:

-88.12%

CADモデル

製造元 STMicroelectronics STGW60H65DFB のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-03-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

STMicroelectronics STGW60H65DFBの詳細は販売業者から提供されます。

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247-3; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin

Farnell

Igbt, Single, 650V, 80A, To-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:375W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW60H65DFB

Newark