STMicroelectronics STGWT40H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWT40H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGWT40H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

$ 1.745

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Newark		STGWT40H65DFB	289	1	4.610	3.920	2.550	2.100	2.100
Verical		STGWT40H65DFB	219	3		0.736	0.736	0.736	0.736
Arrow Electronics		STGWT40H65DFB	210	210				0.736	0.736
TME	2	STGWT40H65DFB	39	1	4.530	3.520	3.350	3.350	3.350	3h
Avnet		STGWT40H65DFB	0	600				1.598	1.503	7h

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STMicroelectronics

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Future Electronics

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説明

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

STMicroelectronics

STGWT40 Series 650 V 80 A Through Hole Silicon IGBT - TO-3P

Future Electronics

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Verical

STGWT40H65DFB, IGBT Transistor, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P

RS (Formerly Allied Electronics)

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel

IHS

晶体管, IGBT, 650V, 80A, 175度 C, 283W;

element14 APAC

IGBT, 650V, 80A, 175DEG C, 283W;

Farnell

TO3P IGBT 40A @100C 600V TRENC

Anglia

283W 1.6V 650V 80A TO-3P 23.4mm

Unikeyic (ICkey)

IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-3P; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:283W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark