onsemi FQD1N60CTM

Name: onsemi FQD1N60CTM
Brand: onsemi
SKU: FQD1N60CTM

N-channel Power Mosfet, Qfet®, 600 V, 1 A, 11.5 Ω, Dpak

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	FQD1N60CTM	0					0.303	0.251	0.224	11h
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Weyland Electronics Group Pte. Ltd.	FQD1N60CTM	10,000	1	Tape & Reel	3.756	3.756	3.756	3.756	3.756	1d
Win Source	WS-FQD1N60CTM	10,000	6			8.731	5.821	5.821	5.821	12h

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N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1 A, 11.5 Ω, DPAK

onsemi

N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

MOSFET, N CH, 600V, 9.3OHM, 1A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):9.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:28W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)

Farnell

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.