STMicroelectronics STD4NK60ZT4

Name: STMicroelectronics STD4NK60ZT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD4NK60ZT4

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK

$ 0.559

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STD4NK60ZT4	2,496	1	Cut Tape	1.640	1.330	0.862	0.564	0.564
Arrow Electronics	2	STD4NK60ZT4	2,193	1		0.615	0.606	0.587	0.558	0.558
Verical	2	STD4NK60ZT4	17,500	2500						0.483
TME	2	STD4NK60ZT4	2,593	1		1.628*	1.183*	0.848*	0.653*	0.589*	21h
DigiKey	2	497-5889-1-ND	1,203	1	Cut Tape	2.380	1.521	1.034	0.758	0.758

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

STMicroelectronics STD4NK60ZT4の詳細は販売業者から提供されます。

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK

STMicroelectronics

Transistor MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R

North Star Micro

STD4NK60Z Series 600 V 2 Ohm 4 A N-Channel SuperMesh Power MosFet - TO-252

Future Electronics

STD4NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 600 V, 3-PIN DPAK

RS (Formerly Allied Electronics)

N-CHANNEL 600 V-1.76 OHM-4 A DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; Power Dissipation Pd:70W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:4A; On State resistance @ Vgs = 10V:2ohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:70W; Power Dissipation Pd:70W; Pulse Current Idm:16A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:600V; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V

element14 APAC