価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STD1HN60K3 | 7,500 | 2500 | |||||||||
| Verical | STD1HN60K3 | 7,500 | 2500 | |||||||||
| TME | STD1HN60K3 | 0 | 2500 | 4h | ||||||||
| Future Electronics | STD1HN60K3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | STD1HN60K3 | 0 | 2500 | 6d |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD1HN60K3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTD1NK60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
説明
STMicroelectronics STD1HN60K3の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
STD1HN60K3 N-channel MOSFET Transistor, 1.2 A, 600 V, 3-Pin DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STD1HN60K3
27W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 9.5nC@ 10 V 1N 600V 8¦¸@ 600mA,10V 1.2A 140pF@50V TO-252 6.6mm*6.2mm*2.4mm
Power Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Power MOSFETs, 600V, 1.2A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
600V 1.2A 6.7´Î@10V600mA 27W 3.75V@50uA 2pF@50V N Channel 140pF@50V 9.5nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) DAPK MOSFETs ROHS
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)760 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation27 W
Rds On Max8 Ω
Resistance8 Ω
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm