Infineon IRLZ44NSTRLPBF

Name: Infineon IRLZ44NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLZ44NSTRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.022 Ohm; Id 47A; D2PAK; Pd 110W; Vgs +/-16V; -55

$ 0.642

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRLZ44NSTRLPBF	950	1	Cut Tape	2.080	1.420	1.020	0.834	0.821
Arrow Electronics	3	IRLZ44NSTRLPBF	99	1		0.466	0.466	0.466	0.466	0.466
Future Electronics	2	IRLZ44NSTRLPBF	88,000	800	Tape & Reel				0.610	0.590
DigiKey	3	IRLZ44NSTRLPBFCT-ND	8,420	1	Cut Tape	2.250	1.437	0.973	0.973	0.973
RS (Formerly Allied Electronics)		IRLZ44NSTRLPBF	0	10	Bulk		1.830	1.640	1.640	1.640	19h

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Newark

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Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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部品

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InfineonIRLZ44NSTRLPBF

InfineonIRLZ44NSTRRPBF

Price @ 1000

$ 0.642

$ 3.14

Stock

701,743

112,910

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

47 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

22 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

3.8 W

110 W

Input Capacitance

1.7 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-11-01

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-03-31

説明

Infineon IRLZ44NSTRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 47A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-16V;-55

RS (Formerly Allied Electronics)

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 55 V 0.035 Ohm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

3.8W(Ta),110W(Tc) 16V 2V@ 250¦ÌA 48nC@ 5 V 1N 55V 22m¦¸@ 25A,10V 47A 1.7nF@25V D2PAK 5.08mm

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R

Verical

IRLZ44NSTRLPBF,MOSFET, 55V, 47 A, 22 MOHM, 32 NC QG, LOGIC L

Jameco

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:47A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:110W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 47 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 22 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 15 / Rise Time ns = 84 / Turn-OFF Delay Time ns = 26 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110

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