Infineon IRFZ44NSTRLPBF

Name: Infineon IRFZ44NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFZ44NSTRLPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 17.5 Milliohms; ID 49A; D2Pak; PD 94W; VGS +/-20

$ 0.628

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	IRFZ44NSTRLPBFCT-ND	39	1	Cut Tape	2.240	1.429	0.968	0.968	0.968
Avnet	2	IRFZ44NSTRLPBF	13,600	800					0.531	0.473	10h
Newark	2	IRFZ44NSTRLPBF	4,187	1	Cut Tape	2.360	1.530	1.150	1.070	1.070
Future Electronics	2	IRFZ44NSTRLPBF	48,000	800	Tape & Reel				0.605	0.585
Arrow Electronics	2	IRFZ44NSTRLPBF	3,448	1		1.821	1.249	0.901	0.571	0.570

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Datasheet12ページ22年前

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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部品

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InfineonIRFZ44NSTRLPBF

InfineonAUIRFZ44NS

Price @ 1000

$ 0.628

$ 1.12

Stock

1,048,804

144,739

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

49 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

17.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.8 W

Input Capacitance

1.47 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Mexico

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1996-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

説明

Infineon IRFZ44NSTRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 17.5 Milliohms;ID 49A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-20

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 17.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R

Verical

IRFZ44NSTRLPBF,MOSFET, 55V, 49 A, 17.5 MOHM, 42 NC QG, D2-PA

Jameco

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:49A; On Resistance Rds(On):0.0175Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 49 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 17.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 45 / Rise Time ns = 60 / Turn-OFF Delay Time ns = 44 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 94

Distrelec